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Título : El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico
Autor : Trojman, Lionel (dir)
Moreno Lanas, Jorge Esteban
Descriptores / Subjects : Tecnología
Fecha de Publicación : 2013
Ciudad: Editorial : Quito, 2013
Cita Sugerida : Tesis (Ingeniero Eléctrico/Electrónico), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingeniería; Quito, Ecuador, 2013
Resumen / Abstract: Recientemente, el modelo basado en los contactos de punto cuántico (QPC) obtuvo resultados importantes al describir el mecanismo de conducción de memorias resistivas (RRAM) con dieléctricos de óxido de hafnio (HfO2). Este trabajo utiliza el modelo QPC para investigar dos aspectos importantes sobre la física de estas memorias: la dependencia del mecanismo de conducción con respecto a sus dimensiones y los efectos de su transistor de control. De acuerdo con resultados experimentales se encontró que el mecanismo de conducción de las RRAM es independiente de sus dimensiones y que la influencia del transistor de control puede ser cancelada utilizando una polarización correcta. Además se halló que el voltaje de formación varía inversamente con las dimensiones de las memorias.
Descripción : Recently, the model based on the quantum point contacts (QPC) achieved important results for describing the conduction mechanism of HfO2-based resistive random access memories (RRAM). This work makes a study of two important aspects related to the physics of these memories: a possible dependence of the RRAM conduction mechanism with respect to the scaling area and the influence of the compliance transistor. According to experimental results it was found that the conduction mechanism of the RRAM memories is essentially independent of their scaling area and that the compliance transistor influence can be cancelled by applying the correct polarization. In addition, it was found that the forming voltage is inversely proportional to the cell area.
URI : http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/2797
Aparece en las colecciones: Tesis - Ingeniería Eléctrica y Electrónica

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