Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/5777
Título : Medición I-V para estudio estadístico de las características eléctricas en dispositivos de tecnología CMOS
Autor : Trojman, Lionel (dir)
Acosta López, Juan Sebastián
Descriptores / Subjects : Electricidad
Transistores
Semiconductores
Mediciones
Fecha de Publicación : may-2016
Ciudad: Editorial : Quito: USFQ, 2016
Cita Sugerida : Tesis (Ingeniero Electrónico), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías; Quito, Ecuador, 2016
Resumen / Abstract: Los últimos años la tecnología ha ido cambiando y a su vez mejorando, pero de igual manera se han presentados mayores dificultades y se ha vuelto más complejo en cuanto a dispositivos micro y nano-electrónicos, es por eso que el punto crítico de cambio es cuando los dispositivos cambiaron del canal largo a canal corto. El presente trabajo trata sobre la estadística de característica I-V en la variación del voltaje de umbral en dispositivos largos y cortos. Para esta estadística se aplica un estrés durante diferentes tiempo y se obtiene la curvas I-V. Debido a su alta aleatoriedad se aplica a varios transistores de las mismas características para lograr una estadística del estudio. De igual manera se busca probar dicho estrés en varios transistores de diferente tamaño y dimensión y obtener las curvas características de corriente antes y después de los efectos del estrés. En este trabajo se busca mostrar cómo cambia el voltaje de encendido de los dispositivos (VTH) cuando se aplica un estrés y como disminuye la corriente en los transistores después de cierto tiempo bajo estrés, para esto se utilizara varios tiempos de estrés y así obtendremos la caracterización eléctrica después de cada tiempo. Para obtener dichos resultados se utilizaran dos equipos de alto rendimiento usados en la industria del semiconductor uno es el Keithley K4200 y el otro es el Probe Station ambos trabajaran en conjunto para obtener los resultados del estudio deseado sobre el DUT (device under test) el cual será el wafer de silicio.
Descripción : Recent years technology has already changing in turn improving, but equally have presented greater difficulties and has become more complex in terms of microelectronics and nano-electronics, it is why the critical point of change is when long channel devices changed the short channel. This paper deals with the statistic I-V characteristic variation in threshold voltage in long and short devices. For this statistic, stress is applied during different time and I-V curves is obtained. Due to its high randomness is applied to various transistors of the same features to achieve statistical study. Similarly, it seeks to prove that stress in several transistors of different size and dimension and get the current characteristics before and after the effects of stress. This paper seeks to show how changes the voltage ignition devices (VTH) when a stress is applied as the current decreases in transistors after some time under stress to this several times of stress is used and thus obtain the characterization electric after each time. To obtain these results two high-performance equipment used in the semiconductor industry one will use is the Keithley K4200 and the other is the Station Probe both work together to get the results of the desired study on the DUT (device under test) which it is the silicon wafer.
URI : http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/5777
Aparece en las colecciones: Tesis - Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Archivos en este ítem:
Archivo Descripción Tamaño Formato  
124768.pdfTESIS A TEXTO COMPLETO1,05 MBAdobe PDFThumbnail
Visualizar/Abrir


Este ítem está sujeto a una licencia Creative Commons Licencia Creative Commons Creative Commons