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Título : Threshold voltage instability in silicon carbide power MOSFET
Autor : Crupi, Felice, director
Sánchez López, Luis Alfredo
Palabras clave : Nanoelectrónica -- Investigaciones -- Tesis y disertaciones académicas.
Materiales nanoestructurados.
Circuitos integrados.
Fecha de publicación : 2019
Editorial : Quito
Citación : Tesis (Magister en Nanoelectrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Posgrados; Quito, Ecuador, 2019
Resumen : La presente investigación tiene como objetivo comprender la influencia de la tasa de captura de carga en transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC), que en la actualidad tienen un interés especial para aplicaciones de alta potencia. Es muy importante el estudio de la confiabilidad de esta nueva generación de dispositivos de alta potencia de acuerdo con las aplicaciones tales como inversores solares...
Descripción : The present research aims to understand the influence of the charge trapping rate in Silicon Carbide (SiC) metal-oxide semiconductor-field-e↵ect-transistors (MOSFETs) which nowadays have special interest for high power applications. It’s very important the study of the reliability of this new generation of high power devices according to the applications such as solar inverters..
URI : http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/8354
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