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Título : Efecto de la tensión de Back Gate sobre los parámetros eléctricos y físicos para dispositivos UTBB-FDSOI MOSFET
Autor : Trojman, Lionel, director
Figueroa Solarte, José Luis
Palabras clave : Electrónica -- Transistores -- Tesis y disertaciones académicas.
Circuitos de transistores.
Microelectrónica.
Fecha de publicación : 2019
Editorial : Quito
Citación : Tesis (Ingeniero Electrónico), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías; Quito, Ecuador, 2019
Resumen : Mediante la variación del parámetro de bak gate dentro de la caracterización del transistor UTBB-FDSOI MOSFET es posible estudiar y analizar el comportamiento físico de ciertos parámetros intrínsecos y extrínsecos, como la tensión umbral, transconductancia, resistencia serie y movilidad...
Descripción : By varying the bak gate parameter within the characterization of the UTBB-FDSOI MOSFET transistor it is possible to study and analyze the physical behavior of certain intrinsic and extrinsic parameters, such as threshold voltage, transconductance, series resistance and mobility...
URI : http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/8665
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