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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorPrócel, Luis, $$e director-
dc.contributor.authorMorales Ulloa, Esteban Enrique-
dc.contributor.authorMorales Ushiña, Edwin Steeven-
dc.date.accessioned2023-12-12T16:53:49Z-
dc.date.available2023-12-12T16:53:49Z-
dc.date.issued2023-05-18-
dc.identifier.citationTesis (Ingeniería en Electrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías ; Quito, Ecuador, 2023es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/12683-
dc.descriptionIn this project, the characterization of a Metal Oxide Semiconductor (MOS) device is proposed, which has aluminum gate, source, and drain regions; as well as an aluminum electrode underneath the silicon substrate. This semiconductor device has a natural 54,7◦ formation angle due to the doping profile of the metal...es_ES
dc.description.abstractEn este proyecto se propone la caracterización de un dispositivo Semiconductor de ´ Oxido de Metal (MOS), que tiene compuerta de aluminio, regiones de fuente y drenador de aluminio; as´ı como un electrodo de aluminio debajo del sustrato de silicio. Este dispositivo semiconductor tiene un ´angulo de formación natural de 54,7◦ debido al perfil de dopaje del metal...es_ES
dc.format.extent22 h.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherQuitoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ec/*
dc.subjectSemiconductores - Tesis y disertaciones académicas.es_ES
dc.subjectDispositivos electromecánicos.es_ES
dc.subject.otherTecnologíaes_ES
dc.subject.otherElectrónicaes_ES
dc.titleUn estudio integral de MOSFET con diodos Schottky : análisis estructural y caracterización en Sentaurus TCADes_ES
dc.typebachelorThesises_ES
Aparece en las colecciones: Tesis - Ingeniería Eléctrica y Electrónica

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