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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorPrócel, Luis Miguel, dir.-
dc.contributor.advisorTorres, Javier, dir.-
dc.contributor.advisorZambrano, Cesar, dir.-
dc.contributor.authorBeltrán Cahueñas, Katty Doménica-
dc.contributor.authorParedes Mayorga, Jhon Jairo-
dc.date.accessioned2024-05-30T17:42:07Z-
dc.date.available2024-05-30T17:42:07Z-
dc.date.issued2023-12-14-
dc.identifier.citationTesis (Ingeniera Electrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías ; Quito, Ecuador, 2023es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/13309-
dc.descriptionThe present work focuses on the study, simulation, and characterization of the graphene-silicon interface. Two main approaches are considered: one at the physics level and another at the device level...es_ES
dc.description.abstractEl presente trabajo se centra en el estudio, simulación y caracterización de la interfaz grafenosilicio. Se consideran dos enfoques principales: uno a nivel de física y otro a nivel de dispositivo...es_ES
dc.format.extent44 h.es_ES
dc.language.isoenes_ES
dc.publisherQuitoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ec/*
dc.subjectTransistores - Investigaciones - Tesis y disertaciones académicoses_ES
dc.subject.otherTecnologíaes_ES
dc.subject.otherIngeniería electrónicaes_ES
dc.titleSubthreshold model of the graphene-silicon interface in Schottky diodeses_ES
dc.typebachelorThesises_ES
Aparece en las colecciones: Tesis - Ingeniería Eléctrica y Electrónica

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