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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorTaco, Ramiro, dir.-
dc.contributor.advisorGuitarra, Silvana, dir.-
dc.contributor.advisorProcel, Luis Miguel, dir.-
dc.contributor.authorGavilánez Aguilar, Martín Santiago-
dc.date.accessioned2024-10-30T15:37:23Z-
dc.date.available2024-10-30T15:37:23Z-
dc.date.issued2024-05-17-
dc.identifier.citationTesis (Ingeniero Electrónico), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías; Quito, Ecuador, 2024es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/13772-
dc.descriptionA CMOS-memristor technology-based Logic In Memory (LiM) circuit has been implemented in Synopsys Custom Compiler, employing memristors using a dynamic model calibrated with experimental data. Initially, we analyzed the electrical behavior of a sample of a HfO2-based ReRAM for calibrating the memristor model. This calibration process generates the inherent variability reported for these devices...es_ES
dc.description.abstractUn circuito de Lógica en Memoria (LiM) basado en tecnología CMOS-memristor ha sido implementado en Synopsys Custom Compiler, utilizando memristores con un modelo dinámico calibrado con datos experimentales. Inicialmente, analizamos el comportamiento eléctrico de una muestra de ReRAM basado en HfO2 para calibrar el modelo del memristor. Este proceso de calibración genera la variabilidad inherente reportada para estos dispositivos...es_ES
dc.format.extent44 h.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherQuitoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ec/*
dc.subjectMicroelectrónica.es_ES
dc.subject.otherIngeniería electrónicaes_ES
dc.subject.otherTecnologíaes_ES
dc.titleA CMOS-Memristor based Logic-in-Memory circuit implementation using a ReRAM Dynamic Model calibrated with experimental dataes_ES
dc.typebachelorThesises_ES
Aparece en las colecciones: Tesis - Ingeniería en Electrónica y Automatización

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