1. Repositorio Digital USFQ
  2. TESIS COLEGIO DE POSGRADO
  3. MAESTRÍAS
  4. Tesis - Maestría en Nanoelectrónica
Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/13781
Registro completo de metadatos
Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorPrócel, Luis Miguel, dir.-
dc.contributor.authorYépez Calderón, Joaquín-
dc.date.accessioned2024-10-30T16:32:34Z-
dc.date.available2024-10-30T16:32:34Z-
dc.date.issued2024-05-30-
dc.identifier.citationTesis (Magister en Nanoelectrónica, Mención en sistema embebido e integración), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Posgrados ; Quito, Ecuador, 2024es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/13781-
dc.descriptionReRAMs are a type of non-volatile storage component that operates by changing its impedance according to the applied current in its terminals. Therefore, by setting it in a Low Resistance State (LRS) or High Resistance State (HRS) it is possible to store information in a circuit that uses its impedance to dictate output current and voltage. For this reason, ReRAMs can be used in memory logic circuits such as a Content Addressable Memory (CAM)...es_ES
dc.description.abstractLas ReRAM son un tipo de componente de almacenamiento no volátil que funciona cambiando su impedancia según la corriente aplicada en sus terminales. Por lo tanto, al configurarlo en un estado de baja resistencia (LRS) o un estado de alta resistencia (HRS), es posible almacenar información en un circuito que utiliza su impedancia para dictar la corriente y el voltaje de salida. Por esta razón, las ReRAM se pueden utilizar en circuitos lógicos de memoria, como la memoria direccionable por contenido (CAM)...es_ES
dc.format.extent26 h.es_ES
dc.language.isoenes_ES
dc.publisherQuitoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ec/*
dc.subjectTransistores - Investigaciones - Tesis y disertaciones académicases_ES
dc.subject.otherIngeniería eléctricaes_ES
dc.subject.otherTecnologíaes_ES
dc.titleDesign of a memristor-based Content Addressable Memory (CAM) using Verilog-A modelses_ES
dc.typebachelorThesises_ES
Aparece en las colecciones: Tesis - Maestría en Nanoelectrónica

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
212282.pdfTexto completo284.27 kBAdobe PDFVista previa
Visualizar/Abrir
Mostrar el registro sencillo del ítem


Este ítem está sujeto a una licencia Creative Commons Licencia Creative Commons Creative Commons