1. Repositorio Digital USFQ
  2. TESIS COLEGIO DE PREGRADO
  3. COLEGIO DE CIENCIAS E INGENIERÍAS (POLI)
  4. Tesis - Ingeniería en Electrónica y Automatización
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dc.contributor.advisorHolguín, Eduardo,dir.-
dc.contributor.authorSalcedo Martínez, Ana Paula-
dc.date.accessioned2024-11-13T16:53:53Z-
dc.date.available2024-11-13T16:53:53Z-
dc.date.issued2024-05-16-
dc.identifier.citationTesis (Ingeniería electrónica) , Universidad San Francisco de Quito , Colegio de Ciencias e Ingenierías ; Quito, Ecuador, 2024es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/13830-
dc.descriptionThe following study focuses on the design of a Content-Addressable Memory (CAM) with low search latency and reduced power consumption, utilizing FinFETs at a 14 nm technology node. Two types of memories are compared: one employing conventional XOR unit cells and another using swapped XOR unit cells...es_ES
dc.description.abstractEl siguiente estudio se centra en el diseño de una memoria CAM (Content-Addressable Memory) con bajo retardo de búsqueda y reducido consumo de energía, utilizando FinFETs en un nodo tecnológico de 14 nm. Se comparan dos tipos de memorias: una que emplea celdas unitarias XOR convencionales y otra que emplea celdas unitarias XOR intercambiadas...es_ES
dc.format.extent36 h.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherQuitoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ec/*
dc.subjectNanoelectrónica - Investigaciones - Tesis y disertaciones académicas.es_ES
dc.subject.otherTecnologíaes_ES
dc.subject.otherIngeniería electrónicaes_ES
dc.titleA High-Speed NAND match line Content Addressable Memory in 14 nmes_ES
dc.typebachelorThesises_ES
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