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http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/14094| Tipo de material: | bachelorThesis |
| Título : | Development of Ab-initio moleculardynamics protocol to simulate thetemperature effect in a Graphene–siliconSchottky junction using VASP |
| Autor : | Sanango Chicaiza, Bryan Mauricio |
| Director de Tesis : | Torres, Javier, dir. |
| Descriptores : | Transistores - Investigaciones - Tesis y disertaciones académicos |
| Fecha de publicación : | 10-sep-2024 |
| Editorial : | Quito |
| Citación : | Tesis (Licenciado en Física), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías ; Quito, Ecuador, 2024 |
| Páginas : | 65 h. |
| Acceso: | openAccess Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador |
| Resumen : | Esta tesis amplía un estudio previo sobre la unión Schottky de grafeno-silicio (G/S SJ) que relación las variaciones geométricas con cambios en sus propiedades electrónicas. Para caracterizar mejor la G/S SJ, este estudio introduce el efecto de la temperatura utilizando el software VASP, planteando la hipótesis de que los cambios en la estructura atómica inducidos por la temperatura impactan su comportamiento electrónico. |
| Descripción : | This thesis expands upon a previous study on the graphene-silicon Schottky junction (G/S SJ) that linked geometric variations to changes in its electronic properties. To better characterize the G/S SJ, this study introduces the effect of temperature using VASP software, hypothesizing that temperature-induced changes in the atomic structure impact its electronic behavior. |
| URI : | http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/14094 |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Física |
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