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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorTrojman, Lionel, director-
dc.contributor.authorFigueroa Solarte, José Luis-
dc.date.accessioned2020-03-05T17:31:04Z-
dc.date.available2020-03-05T17:31:04Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationTesis (Ingeniero Electrónico), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías; Quito, Ecuador, 2019es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/8665-
dc.descriptionBy varying the bak gate parameter within the characterization of the UTBB-FDSOI MOSFET transistor it is possible to study and analyze the physical behavior of certain intrinsic and extrinsic parameters, such as threshold voltage, transconductance, series resistance and mobility...es_ES
dc.description.abstractMediante la variación del parámetro de bak gate dentro de la caracterización del transistor UTBB-FDSOI MOSFET es posible estudiar y analizar el comportamiento físico de ciertos parámetros intrínsecos y extrínsecos, como la tensión umbral, transconductancia, resistencia serie y movilidad...es_ES
dc.format.extent30 h.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherQuitoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ec/es_ES
dc.subjectElectrónica -- Transistores -- Tesis y disertaciones académicas.es_ES
dc.subjectCircuitos de transistores.es_ES
dc.subjectMicroelectrónica.es_ES
dc.subject.otherTecnologíaes_ES
dc.subject.otherIngeniería electrónicaes_ES
dc.titleEfecto de la tensión de Back Gate sobre los parámetros eléctricos y físicos para dispositivos UTBB-FDSOI MOSFETes_ES
dc.typebachelorThesises_ES
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