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http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/13830| Tipo de material: | bachelorThesis |
| Título : | A High-Speed NAND match line Content Addressable Memory in 14 nm |
| Autor : | Salcedo Martínez, Ana Paula |
| Director de Tesis : | Holguín, Eduardo,dir. |
| Descriptores : | Nanoelectrónica - Investigaciones - Tesis y disertaciones académicas. |
| Fecha de publicación : | 16-may-2024 |
| Editorial : | Quito |
| Citación : | Tesis (Ingeniería electrónica) , Universidad San Francisco de Quito , Colegio de Ciencias e Ingenierías ; Quito, Ecuador, 2024 |
| Páginas : | 36 h. |
| Acceso: | openAccess Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador |
| Resumen : | El siguiente estudio se centra en el diseño de una memoria CAM (Content-Addressable Memory) con bajo retardo de búsqueda y reducido consumo de energía, utilizando FinFETs en un nodo tecnológico de 14 nm. Se comparan dos tipos de memorias: una que emplea celdas unitarias XOR convencionales y otra que emplea celdas unitarias XOR intercambiadas... |
| Descripción : | The following study focuses on the design of a Content-Addressable Memory (CAM) with low search latency and reduced power consumption, utilizing FinFETs at a 14 nm technology node. Two types of memories are compared: one employing conventional XOR unit cells and another using swapped XOR unit cells... |
| URI : | http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/13830 |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Ingeniería en Electrónica y Automatización |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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