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dc.contributor.advisorHolguín, Eduardo, dir.-
dc.contributor.authorCaisaluisa Aumala, Oliver Sebastián-
dc.date.accessioned2024-11-19T19:21:02Z-
dc.date.available2024-11-19T19:21:02Z-
dc.date.issued2024-05-17-
dc.identifier.citationTesis (Ingeniero Electrónico) , Universidad San Francisco de Quito , Colegio de Ciencias e Ingenierías ; Quito, Ecuador, 2024es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/13871-
dc.descriptionRecent advances in the Fourth Industrial Revolution involve big data and artificial intelligence (AI) topics. These aplications require access in parallel to a huge ammount of data at high speed. Conventional RAM memories access the data sequentially resulting in high delay during the read process.es_ES
dc.description.abstractLos recientes avances en la cuarta revoluci´on industrial involucran temas de big data e inteligencia artificial (AI). Estas aplicaciones requieren acceso a una gran cantidad de datos en paralelo a una alta velocidad. Las memorias RAM convencionales realizan el acceso a sus datos de forma secuencial lo que resulta en un elevado retardo en el proceso de lectura.es_ES
dc.format.extent39 h.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherQuitoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ec/*
dc.subjectMemoria magnética (Computadores) - Investigaciones - Tesis y disertaciones académicases_ES
dc.subject.otherIngeniería electrónicaes_ES
dc.subject.otherTecnologíaes_ES
dc.titleDiseño de una memoria no volátil de contenido direccionable (NV-BCAM) basada en MRAMs para sistemas de alto rendimientoes_ES
dc.typebachelorThesises_ES
Aparece en las colecciones: Tesis - Ingeniería en Electrónica y Automatización

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