1. Repositorio Digital USFQ
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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorPrócel, Luis Miguel, dir.-
dc.contributor.authorRendón Arias, Mateo José-
dc.date.accessioned2022-07-05T15:29:47Z-
dc.date.available2022-07-05T15:29:47Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationTesis (Ingeniería en Electrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías ; Quito, Ecuador, 2021es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/11389-
dc.descriptionThis work studies and compares the FinFET and TFET transistors through different abstraction levels beginning with devices, then to logic gates, simple combinational modules, and arriving to complex microcontrollers. The necessity to understand when the TFET transistors have a performance advantage in terms of consumed power and speed of operation is justified by the physical limitations that basic processes like the planar CMOS have experimented throughout the miniaturization and device portability tendencies...es_ES
dc.description.abstractEn el presente trabajo se estudia y compara a los transistores de 10nm FinFET y TFET a través de distintos niveles de abstracción iniciando por los dispositivos, pasando a las compuertas lógicas, a módulos combinacionales simples, y llegando a microncontroladores complejos. La necesidad de comprender cuándo los transistores TFET tienen una ventaja de rendimiento en cuanto a potencia consumida y velocidad de operación nace a partir de limitaciones físicas que procesos básicos como el CMOS planar han experimentados a lo largo de las tendencias de miniaturización y portabilidad de dispositivos...es_ES
dc.format.extent45 h.es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherQuitoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rightsCC0 1.0 Universal*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/*
dc.subjectCalibración - Investigaciones - Tesis y disertaciones académicases_ES
dc.subjectFuerza electromotrizes_ES
dc.subjectFinFETes_ES
dc.subjectLibrerías de Celdas Estándares_ES
dc.subjectVoltaje Ultrabajoes_ES
dc.subject.otherCienciases_ES
dc.subject.otherFísicaes_ES
dc.titleComparación de Dispositivos de 10nm TFET y FinFET a través de Síntesis de Circuitos Digitales operando a Voltajes Ultra-Bajoses_ES
dc.typebachelorThesises_ES
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