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http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/12683| Tipo de material: | bachelorThesis |
| Título : | Un estudio integral de MOSFET con diodos Schottky : análisis estructural y caracterización en Sentaurus TCAD |
| Autor : | Morales Ulloa, Esteban Enrique Morales Ushiña, Edwin Steeven |
| Director de Tesis : | Prócel, Luis, $$e director |
| Descriptores : | Semiconductores - Tesis y disertaciones académicas.;Dispositivos electromecánicos. |
| Fecha de publicación : | 18-may-2023 |
| Editorial : | Quito |
| Citación : | Tesis (Ingeniería en Electrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías ; Quito, Ecuador, 2023 |
| Páginas : | 22 h. |
| Acceso: | openAccess Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador |
| Resumen : | En este proyecto se propone la caracterización de un dispositivo Semiconductor de ´ Oxido de Metal (MOS), que tiene compuerta de aluminio, regiones de fuente y drenador de aluminio; as´ı como un electrodo de aluminio debajo del sustrato de silicio. Este dispositivo semiconductor tiene un ´angulo de formación natural de 54,7◦ debido al perfil de dopaje del metal... |
| Descripción : | In this project, the characterization of a Metal Oxide Semiconductor (MOS) device is proposed, which has aluminum gate, source, and drain regions; as well as an aluminum electrode underneath the silicon substrate. This semiconductor device has a natural 54,7◦ formation angle due to the doping profile of the metal... |
| URI : | http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/12683 |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Ingeniería Eléctrica y Electrónica |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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