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Tipo de material: bachelorThesis
Título : Subthreshold model of the graphene-silicon interface in Schottky diodes
Autor : Beltrán Cahueñas, Katty Doménica
Paredes Mayorga, Jhon Jairo
Director de Tesis : Prócel, Luis Miguel, dir.
Torres, Javier, dir.
Zambrano, Cesar, dir.
Descriptores : Transistores - Investigaciones - Tesis y disertaciones académicos
Fecha de publicación : 14-dic-2023
Editorial : Quito
Citación : Tesis (Ingeniera Electrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías ; Quito, Ecuador, 2023
Páginas : 44 h.
Acceso: openAccess
Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador
Resumen : El presente trabajo se centra en el estudio, simulación y caracterización de la interfaz grafenosilicio. Se consideran dos enfoques principales: uno a nivel de física y otro a nivel de dispositivo...
Descripción : The present work focuses on the study, simulation, and characterization of the graphene-silicon interface. Two main approaches are considered: one at the physics level and another at the device level...
URI : http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/13309
Aparece en las colecciones: Tesis - Ingeniería Eléctrica y Electrónica

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