Non-Volatile Content-Addressable Memory for Energy-Efficient & High Performance Search and Update Operations

Abstract

Dispositivos emergentes como los “double-barrier magnetic tunnel junction” (DMTJ) son candidatos prometedores para enfrentar problemas como el “muro de memoria” y “muro de potencia” de los sistemas informáticos modernos. Los DMTJ ofrecen altas velocidades de escritura y lectura, gran escalabilidad e integración con tecnología CMOS. Por ende son altamente considerados para sistemas informáticos centrados en la memoria, como las “Content Addressable Memories” (CAM), que han tenido éxito comercial en sistemas de redes de alta velocidad. Este trabajo presenta una celda de memoria CAM basada en dispositivos MTJ no volátiles (NV-CAM). Nuestro diseño presenta operaciones de búsqueda y escritura a alta velocidad y bajo consumo...