http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/8398
Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
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dc.contributor.advisor | Lanuzza, Marco, director | - |
dc.contributor.author | Garzón Córdova, Esteban José | - |
dc.date.accessioned | 2019-10-17T00:24:46Z | - |
dc.date.available | 2019-10-17T00:24:46Z | - |
dc.date.issued | 2019 | - |
dc.identifier.citation | Tesis (Magíster en Nanoelectrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Posgrados; Quito, Ecuador, 2019 | es_ES |
dc.identifier.uri | http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/8398 | - |
dc.description | Chip design presents problems due to scaling as the technology node reaches to the physical limits. The roadmap to 7nm technology node and beyond is already traced and overcome the problems in power and energy dissipation have become a fundamental part in the chip design... | es_ES |
dc.description.abstract | El diseño del chip presenta problemas debido al escalamiento de dispositivos a medida que el nodo tecnológico llega a sus límites físicos. La ruta para el desarrollo de nodos de 7nm en adelante se ha trazado, y superar los problemas de potencia y disipación de energía se ha convertido una parte fundamental para el diseño de chips... | es_ES |
dc.format.extent | 88 h. | es_ES |
dc.language.iso | en | es_ES |
dc.publisher | Quito | es_ES |
dc.rights | openAccess | es_ES |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ec/ | es_ES |
dc.subject | Nanoelectrónica -- Investigaciones -- Tesis y disertaciones académicas. | es_ES |
dc.subject | Materiales nanoestructurados. | es_ES |
dc.subject | Circuitos integrados. | es_ES |
dc.subject.other | Tecnología | es_ES |
dc.subject.other | Ingeniería electrónica | es_ES |
dc.title | Perpendicular STT-MTJs with Double Reference Layers and its Application to Downscaled Memory Cells | es_ES |
dc.type | bachelorThesis | es_ES |
Aparece en las colecciones: | Tesis - Maestría en Nanoelectrónica |
Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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