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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorLanuzza, Marco, dir-
dc.contributor.authorCriollo Caisaguano, Diego Fernando-
dc.date.accessioned2020-10-26T17:30:54Z-
dc.date.available2020-10-26T17:30:54Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationTesis (Magister en Nanoelectrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Posgrados; Quito, Ecuador, 2019es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/9120-
dc.descriptionEnergy consumption has become a critical metric in integrated circuit design (IC). The STT-MRAM technology has characteristics to overcome the energy consumption and architectural limitations of computer systems, becoming a potential candidate in the application of low speed and high power memories and logic...es_ES
dc.description.abstractEl consumo de energía se ha convertido en una métrica crítica en el diseño de circuitos integrados (IC). La tecnología STT-MRAM tiene características para superar las limitaciones de consumo de energía y arquitectónicas de los sistemas informáticos convirtiéndose en un candidato potencial en la aplicación de memorias y lógica de baja velocidad y alta potencia...es_ES
dc.format.extent62 h.es_ES
dc.language.isoenes_ES
dc.publisherQuitoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ec/es_ES
dc.subjectNanoelectrónica -- Investigaciones -- Tesis y disertaciones académicases_ES
dc.subjectCircuitos integradoses_ES
dc.subject.otherTecnologíaes_ES
dc.subject.otherIngeniería electrónicaes_ES
dc.title“Analysis of the writing performance of STT-MRAM based on a single and double MTJ”es_ES
dc.typemasterThesises_ES
Aparece en las colecciones: Tesis - Maestría en Nanoelectrónica

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