1. Repositorio Digital USFQ
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  4. Tesis - Maestría en Nanoelectrónica
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dc.contributor.advisorRose, Raffaele De, dir.-
dc.contributor.authorParra Serrano, Dennis Andrés-
dc.date.accessioned2026-01-15T19:56:58Z-
dc.date.available2026-01-15T19:56:58Z-
dc.date.issued2024-07-29-
dc.identifier.citationTesis (Magister en Nanoelectrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Posgrados; Quito, Ecuador, 2024es_ES
dc.identifier.urihttp://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/15033-
dc.descriptionThis thesis investigates the properties of power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) based on Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN), which are emerging as superior alternatives to traditional silicon-based devices in power electronics. Both SiC and GaN offer significant advantages such as higher breakdown voltages, faster switching speeds, and better thermal performance...es_ES
dc.format.extent84 h.es_ES
dc.language.isoenes_ES
dc.publisherQuitoes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ec/*
dc.subjectElectrónica de potencia - Tesis y disertaciones académicases_ES
dc.subject.otherTecnologíaes_ES
dc.subject.otherIngeniería electrónicaes_ES
dc.titleThreshold voltage Instability in SiC and GaN Power Deviceses_ES
dc.title.alternativeTesis en torno a una hipótesis o problema de investigación y su contrastaciónes_ES
dc.typemasterThesises_ES
Aparece en las colecciones: Tesis - Maestría en Nanoelectrónica

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