| Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
| dc.contributor.advisor | Garzon, Esteban, dir. | - |
| dc.contributor.advisor | Taco, Ramiro, dir. | - |
| dc.contributor.advisor | Lanuzza, Marco, dir. | - |
| dc.contributor.author | Mosquera Montero, Cristopher Rafael | - |
| dc.date.accessioned | 2026-01-15T20:37:23Z | - |
| dc.date.available | 2026-01-15T20:37:23Z | - |
| dc.date.issued | 2025-02-25 | - |
| dc.identifier.citation | Tesis (Magíster en Nanoelectrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Posgrados ; Quito, Ecuador, 2025 | es_ES |
| dc.identifier.uri | http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/15037 | - |
| dc.description | CAMs are associative memories that compare the input data with the stored data in search of a match. CAMs return the address of the words where the searched data is stored or indicate if no match exists. These memories have gained great importance in fields that require search operations such as machine learning, data analysis and DNA sequencing. The present work offers a 65 nm 256×128 CAM with a low-voltage matchline that reduces power consumption by 29% and increases search speed by 42%. The design maintains an area similar to current architectures, the area and its low power consumption are optimal for applications that require
handling a massive amount of information. | es_ES |
| dc.description.abstract | Las memorias CAM son memorias asociativas que compara la información de entrada con la información almacenada en busca de coincidencias. Las CAM ofrecen la dirección de las palabras donde se almacena el dato buscado o indican si no existe ninguna coincidencia. Estas memorias han ganado gran importancia en campos que requieren operaciones de búsqueda como aprendizaje automático, análisis de datos y secuenciación de ADN. El presente trabajo ofrece una CAM en 65 nm de 256 × 128 con una matchline de bajo voltaje que reduce un 29% el consumo energético y aumenta un 42% la velocidad de búsqueda. El diseño logra mantener un área similar a las arquitecturas actuales, junto con su bajo consumo es óptimo para
aplicaciones que requieren manejar una cantidad masiva de información. | es_ES |
| dc.format.extent | 49 h. | es_ES |
| dc.language.iso | en | es_ES |
| dc.publisher | Quito | es_ES |
| dc.rights | openAccess | es_ES |
| dc.rights | Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador | * |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ec/ | * |
| dc.subject | Nanoelectrónica - Sistema de memoria - Tesis y disertaciones académicas | es_ES |
| dc.subject.other | Tecnología | es_ES |
| dc.subject.other | Ingeniería electrónica | es_ES |
| dc.title | Low Matchline Voltage Swing Content-Addressable Memory Cell ForEnergy-Efficient Search Operations | es_ES |
| dc.type | masterThesis | es_ES |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Maestría en Nanoelectrónica
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