El futuro del almacenamiento de información estudio de la tecnología de memorias resistivas basado en el modelo de contactos de punto cuántico

Abstract

Recientemente, el modelo basado en los contactos de punto cuántico (QPC) obtuvo resultados importantes al describir el mecanismo de conducción de memorias resistivas (RRAM) con dieléctricos de óxido de hafnio (HfO2). Este trabajo utiliza el modelo QPC para investigar dos aspectos importantes sobre la física de estas memorias: la dependencia del mecanismo de conducción con respecto a sus dimensiones y los efectos de su transistor de control. De acuerdo con resultados experimentales se encontró que el mecanismo de conducción de las RRAM es independiente de sus dimensiones y que la influencia del transistor de control puede ser cancelada utilizando una polarización correcta. Además se halló que el voltaje de formación varía inversamente con las dimensiones de las memorias.