Medición I-V para estudio estadístico de las características eléctricas en dispositivos de tecnología CMOS

Abstract

Los últimos años la tecnología ha ido cambiando y a su vez mejorando, pero de igual manera se han presentados mayores dificultades y se ha vuelto más complejo en cuanto a dispositivos micro y nano-electrónicos, es por eso que el punto crítico de cambio es cuando los dispositivos cambiaron del canal largo a canal corto. El presente trabajo trata sobre la estadística de característica I-V en la variación del voltaje de umbral en dispositivos largos y cortos. Para esta estadística se aplica un estrés durante diferentes tiempo y se obtiene la curvas I-V. Debido a su alta aleatoriedad se aplica a varios transistores de las mismas características para lograr una estadística del estudio. De igual manera se busca probar dicho estrés en varios transistores de diferente tamaño y dimensión y obtener las curvas características de corriente antes y después de los efectos del estrés. En este trabajo se busca mostrar cómo cambia el voltaje de encendido de los dispositivos (VTH) cuando se aplica un estrés y como disminuye la corriente en los transistores después de cierto tiempo bajo estrés, para esto se utilizara varios tiempos de estrés y así obtendremos la caracterización eléctrica después de cada tiempo. Para obtener dichos resultados se utilizaran dos equipos de alto rendimiento usados en la industria del semiconductor uno es el Keithley K4200 y el otro es el Probe Station ambos trabajaran en conjunto para obtener los resultados del estudio deseado sobre el DUT (device under test) el cual será el wafer de silicio.