http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/8665
Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
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dc.contributor.advisor | Trojman, Lionel, director | - |
dc.contributor.author | Figueroa Solarte, José Luis | - |
dc.date.accessioned | 2020-03-05T17:31:04Z | - |
dc.date.available | 2020-03-05T17:31:04Z | - |
dc.date.issued | 2019 | - |
dc.identifier.citation | Tesis (Ingeniero Electrónico), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías; Quito, Ecuador, 2019 | es_ES |
dc.identifier.uri | http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/8665 | - |
dc.description | By varying the bak gate parameter within the characterization of the UTBB-FDSOI MOSFET transistor it is possible to study and analyze the physical behavior of certain intrinsic and extrinsic parameters, such as threshold voltage, transconductance, series resistance and mobility... | es_ES |
dc.description.abstract | Mediante la variación del parámetro de bak gate dentro de la caracterización del transistor UTBB-FDSOI MOSFET es posible estudiar y analizar el comportamiento físico de ciertos parámetros intrínsecos y extrínsecos, como la tensión umbral, transconductancia, resistencia serie y movilidad... | es_ES |
dc.format.extent | 30 h. | es_ES |
dc.language.iso | spa | es_ES |
dc.publisher | Quito | es_ES |
dc.rights | openAccess | es_ES |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ec/ | es_ES |
dc.subject | Electrónica -- Transistores -- Tesis y disertaciones académicas. | es_ES |
dc.subject | Circuitos de transistores. | es_ES |
dc.subject | Microelectrónica. | es_ES |
dc.subject.other | Tecnología | es_ES |
dc.subject.other | Ingeniería electrónica | es_ES |
dc.title | Efecto de la tensión de Back Gate sobre los parámetros eléctricos y físicos para dispositivos UTBB-FDSOI MOSFET | es_ES |
dc.type | bachelorThesis | es_ES |
Aparece en las colecciones: | Tesis - Ingeniería Eléctrica y Electrónica |
Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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