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http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/8665| Tipo de material: | bachelorThesis |
| Título : | Efecto de la tensión de Back Gate sobre los parámetros eléctricos y físicos para dispositivos UTBB-FDSOI MOSFET |
| Autor : | Figueroa Solarte, José Luis |
| Director de Tesis : | Trojman, Lionel, director |
| Descriptores : | Electrónica -- Transistores -- Tesis y disertaciones académicas.;Circuitos de transistores.;Microelectrónica. |
| Fecha de publicación : | 2019 |
| Editorial : | Quito |
| Citación : | Tesis (Ingeniero Electrónico), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingenierías; Quito, Ecuador, 2019 |
| Páginas : | 30 h. |
| Acceso: | openAccess |
| Resumen : | Mediante la variación del parámetro de bak gate dentro de la caracterización del transistor UTBB-FDSOI MOSFET es posible estudiar y analizar el comportamiento físico de ciertos parámetros intrínsecos y extrínsecos, como la tensión umbral, transconductancia, resistencia serie y movilidad... |
| Descripción : | By varying the bak gate parameter within the characterization of the UTBB-FDSOI MOSFET transistor it is possible to study and analyze the physical behavior of certain intrinsic and extrinsic parameters, such as threshold voltage, transconductance, series resistance and mobility... |
| URI : | http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/8665 |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Ingeniería Eléctrica y Electrónica |
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