Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/15033| Tipo de material: | masterThesis |
| Título : | Threshold voltage Instability in SiC and GaN Power Devices |
| Otros títulos : | Tesis en torno a una hipótesis o problema de investigación y su contrastación |
| Autor : | Parra Serrano, Dennis Andrés |
| Director de Tesis : | Rose, Raffaele De, dir. |
| Descriptores : | Electrónica de potencia - Tesis y disertaciones académicas |
| Fecha de publicación : | 29-jul-2024 |
| Editorial : | Quito |
| Citación : | Tesis (Magister en Nanoelectrónica), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Posgrados; Quito, Ecuador, 2024 |
| Páginas : | 84 h. |
| Acceso: | openAccess Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 Ecuador |
| Descripción : | This thesis investigates the properties of power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) based on Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN), which are emerging as superior alternatives to traditional silicon-based devices in power electronics. Both SiC and GaN offer significant advantages such as higher breakdown voltages, faster switching speeds, and better thermal performance... |
| URI : | http://repositorio.usfq.edu.ec/handle/23000/15033 |
| Aparece en las colecciones: | Tesis - Maestría en Nanoelectrónica |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| 328861.pdf | Texto completo | 3.13 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Este ítem está sujeto a una licencia Creative Commons Licencia Creative Commons
